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硅碳棒的寿命及影响因素

    硅碳棒在使用过程中,由于SiC慢慢氧化,电阻逐渐增加而“老化”,其“老化’速度正象在化学性质一节叙述的那样,受到护内气氛及被处理物的影响.另外,作为使用条件,r使用温度、表面负荷、通电方式和接线方法等已对硅碳棒的寿命有影响。所谓使用寿命.是指硅碳棒电阻值增加到初始值毛倍左右的时间使用沮度和衰面负荷SiC的氧化反应与其使用温度有关.在时开始缓慢氧化,温度愈高氧化反应愈快,在空气中.因为i69a^-1720 接近的熔点,故sio 2失去保护膜的作用,SiC氧化加剧,因此一般希望硅碳棒表面温度在1$5a℃以下炉内温度虽然一‘样.但如图4所示,表面负荷愈大,硅碳棒表面温度愈高,圈4裹面负荷与发热体衰百皿度的关系硅碳棒的表面负荷和硅碳棒表面温度与炉内温度有密切的关系。由硅碳棒表面向外的辐射能,使沪温上升,其关系根据波尔兹曼法则用下式表示:Q式中:Q表示从硅碳棒放出的辐射能,P表示硅碳棒表面的黑度.碳化-硅硅碳棒为。T表示硅碳棒表面温度T:表示炉温F表示硅碳棒的表面积。将P=a二87代入得:这里i fF即为硅碳棒表面负荷Y fmx,它是决定硅碳棒电气容量的重要数据如公式所示,例如表面负荷愈大.硅碳棒表面温度愈高,它和炉温差距就愈大.在同样炉温条件下.硅碳棒表面温度愈高,硅碳棒氧化愈快,“老化’愈快.寿命愈短.如图5所示.选择恰当的表面负荷的数值是必要的。www.sdzygw.com

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