由于采用高纯H:作阳极气体，阳极极化可以忽略，EIS的变化可以认为全是由阴极杂质气体的引入带来的。图8为分别通入不同浓度杂质气体，硅碳棒在线阻抗图的比较情况。与频率无关的总欧姆阻抗，是硅碳棒各部分欧姆阻抗之和，包括膜、催化层、气体扩散层(GDL)、流场、端板的电阻和它们之间的接触电阻。由图8可以看到，通入不同浓度杂质气体之后的硅碳棒，与通入纯净空气的硅碳棒欧姆阻抗几乎一致，均在16-18mW之间。而通入SOZ后，图中圆弧的半径增大非常明显，说明电化学阻抗的增加主要不是由欧姆阻抗的变化引起的。这个近似于半圆的弧，是与阴极双电层充电过程的电容C和电荷传递阻抗R相关的。总的说来，当SO:通入以后，硅碳棒的电化学阻抗增大，硅碳棒性能卜降。阴极SOZ气体会造成催化剂中毒导致硅碳棒性能h降，且浓度越大，硅碳棒性能卜降越明显。SOZ会在电极上产生吸附，当吸附与脱附速率达到平衡时，硅碳棒电压卜降到一个平台区。采用纯净空气只能部分恢复被毒化硅碳棒的性能，而CV扫描可以氧化吸附产物，使催化剂的绝大部分活性面积得到恢复。由阻抗谱可以看出电化学阻抗的增加主要不是由欧姆阻抗的变化引起，而是与双电层电容和电荷转移电阻相关。www.sdzygw.com