①硅碳棒电阻温度系数。硅碳棒的结构属于碳化硅高温半导体材料结构，它的电阻温度系数不同于金属导体，微量的杂质影响硅碳棒冷态电阻，使硅碳棒的电阻温度系数在0-800℃时呈负值(电阻值随硅碳棒发热温度升高而减少)。800℃以上电阻温度数呈正值(电阻值随硅碳棒发热沮度的升高而增大)。一般情况下，在100090、1500℃之间，电阻温度系数变化不是很大(约巧%以内)，达到1627℃以后，电阻温度系数突然呈指数增长(也就是SiC迅速分解)。由于硅碳棒含有的杂质的品种不同，电阻温度系数呈正值的温度转变点也有差别，如国外的硅碳棒转变点大都为6阅℃左右。同时，硅碳棒的电阻温度特性曲线离散性很大，虽然都是上面所说的大概趋势，但相同规格产品，其曲线都不完全吻合(特别是800℃以前)。
    ②硅碳棒高温电阻。由于硅碳棒电阻温度特性的离散性，而且这种特性主要在800℃以前差异较大，800℃以后差异较小，而且，800℃以上时电阻温度系数受温度影响较小，相当于半导体特性中的饱和段，所以检测硅碳棒电阻时最好测定在1000℃时的电阻(我公司控制标准是1050℃左右)。所以现在硅碳棒上标注的电阻，都是在】050℃左右时的电阻，它与冷态电阻之间没有规律可循。
    ③硅碳棒表面负荷密度，是指硅碳棒发热部表面单位面积所承受的电功率用W/cm表示。在相同炉温条件下，表面负荷密度值选择大，则硅碳棒可以用的少，但温度调节范围狭窄，使用寿命短，反之，硅碳棒用的多，使用寿命长，而且温度调节范围大，因此硅碳棒表面负荷密度与使用寿命成反比。棒体表面承受的功率与窑炉结构形式，炉膛温度、传热方式、炉内气氛诸因素有关。说明书中各种硅碳棒规定了在相应炉膛温度下的允许负荷。
    ④发热部与冷端部电阻率比系数，是指硅碳棒通电升到高温时，通过测量计算的发热部与冷端部的电阻率之比的系数。行业标准是GD为12,GC为5。www.sdzygw.com