在含氧的CZ一Si中,由于氧聚集在位错的周围,钉札了位错,从而比氢气氛下区熔硅的机城强度明显优越,掺氮的区熔硅因氮的强钉札位错能力而使其力学性能得到改善。我国在氮气氛下拉制的CZ一Si已成功地用于大功率晶体管生产。当O、N同时存在时,它们对单晶硅机械强度的影响关系所见报道很少。本工作通过测试抗弯强度,侧定了含氮CZ一51硅碳棒轴向机械强度的分布,结合付里叶红外光谱分析讨论了问隙氧、N一N对及碳浓度变化一对NCZ一si机械性能的影响。二、实验方法含氮CZ一S油浙江大学半导体研究所提供,主要参数列于表。在单晶硅碳棒不同部位取样,样品切成厚0.9m‘”、长30mm、宽4mm的条状,经研磨表单晶样品参数编号型号晶向错位电阻率Cm直径mm氧浓度101,em一3氮浓度1015cm一3碳浓度1017em无3n(111><111)<111)4~104~104~104~74~84~8O~41~50~50。2~200.3~0.5O。2~0。5nn自后,化学抛光成镜面,用三点弯法用测试抗弯强度的方法测定了氮气氛下直拉硅碳棒轴向机械强度分布。与红外分析结果比较表明,含氮CZ-Si中N-N对的浓度对硅碳棒强度分布起着比间隙氧更重要的作用。碳浓度达2×10~(17)cm(-3)时,对硅碳棒强度无显著影响。产品及其简介QGM600-8XB单晶硅碳棒切方滚磨机床是在硅单晶硅碳棒数控滚磨机上开发而成,单晶硅碳棒数控滚磨机床是独立开发研制的。该产品全部替代了日本滚磨机床,国内很多企业需单晶硅碳棒滚磨机。本产品在国内企业应用效果非常好。硅碳棒价格只有进口设备的八分之一。为了替代进口设备,我公司在滚圆机上改进设计,使滚圆切方形成了一体机,减少了装夹时间,提高了加工精度。节省的材料一年可以买2台国产的切方滚圆机床,使中国的单晶硅太阳电池片产品快速翻了几翻。该机操作简单,方便可靠,精度高,价格低,是国内单晶硅碳棒生产厂家的首选设备。2、创新性和先进性本产品属集成创新。将滚磨机床与切方机床集成为一种新机型,即单晶硅碳棒切方滚圆机床。原始加工方硅碳棒的方式是:(1)将毛坯单晶硅碳棒磨加工成标准圆硅碳棒(留精加工量1mm)。(2)将圆硅碳棒两端粘接装夹在切割机上,将圆硅碳棒切割成方硅碳棒。(3)将方硅碳棒在磨圆机上找正,将四角磨成。