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硅碳棒抗氧化涂层的制备方法

    硅碳棒材料的硅碳棒抗氧化涂层的制备方法多种多样。根据涂布前原料的状态,可以分为气相法,液相法和固相法。其中,气相法,如物理气相沉积,化学气相沉积等;液相方法,例如溶胶-凝胶,涂覆,等离子喷涂,电化学沉积等;固相法,例如粉末包埋和渗透。气相法主要包括物理气相沉积(PvD)和化学气相沉积(CvD)。PvD的原理非常简单,即使用热源蒸发要涂覆的材料以沉积并粘附到基材上。该方法通常需要在真空或保护性气氛中进行,并且需要高能蒸发源,例如电子束,激光等。其中,1980年代后期开发的脉冲激光沉积法引起了人们的极大兴趣。其过程是用脉冲激光辐照靶,将靶加热并熔化,蒸发成等离子体并传输到基底,然后在基底上凝结成核膜。该方法的优点是靶材与涂层组成相同,工艺简单,柔韧性大,涂层无污染,适合于制备组成复杂,熔点高的涂层。
    然而,所制备的涂层面积小且,并且涂层与基材之间的粘附性不高,并且表面质量不高。通过该方法在硅碳棒-C/C复合材料上形成莫来石硅碳棒抗氧化涂层。空气中温度可达到1600℃,热冲击循环1次后重量损失仅为0.08。毫克/平方厘米。耐氧化性的增加是因为沉积的莫来石涂层中的氧的扩散系数比形在碳化硅自身的表面上的无定形二氧化硅的扩散系数低至少一个数量级。CVD是制备碳/碳复合材料抗氧化涂层的最常用方法硅碳棒,它主要用于制备S1CS13N4BNTiCZrC等涂层。近来,低压化学沉积方法已经用于制备硅碳棒涂层。在这种方法中,将基材悬浮,并使用复合沉淀法密封由于悬垂缺陷而导致的基材边缘,从而获得高质量的硅碳棒涂层。裂纹宽度更窄,界面粘合更好。CVD的原理很复杂。
    其主要过程是通过热分解将涂料还原为蒸汽,在一定温度下将其沉积在基材上,同时与基材反应。该方法的优点是:可以精确地控制涂层的化学组成和结构,沉积速率和沉积物质的范围宽,并且可以在相对较低的温度下获得玻璃状物质,并且完全和高纯度可以获得。结晶材料的涂层。通过采用这种方法,可以容易地获得均匀,致密,高纯度的结晶涂层,并且可以控制反应气氛,并且可以产生氧化物和非氧化物涂层。一些外国研究人员已经使用这种方法在碳化硅衬底上获得结构良好的莫来石涂层。缺点是沉积速率太低,工艺复杂,生产成本高。通常,它仅适用于在小尺寸硅碳棒表面上进行沉积。而且,通过该方法制备氧化物涂层的技术还不成熟。存在涂层缺陷,例如:裂纹,网络缺陷和表面缺陷。www.sdzygw.com

 

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