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| 硅碳棒断裂强度与裂纹尺寸的平方根成反比 |
从以上试验可以得出:
1、在生膜的初始阶段，随着生膜时间的延长，硅碳棒的抗弯强度逐渐升高。但是，到一定时间以后，抗弯强度就逐渐稳定下来。
2、生膜温度越高，硅碳棒达到抗弯强度稳定值所需的时间越短。
3、对不同的硅碳棒，生膜对抗弯强度的影响亦不相同。硅碳棒体本身的抗弯强度越差，生膜的增强作用越明显;硅碳棒体本身的抗弯强度越高，生膜的增强作用相对较弱。
4.基体本身的抗弯强度越高，生膜后所能达到的抗弯强度也越高。
四、理论分析
MoSi:晶体为四方晶系，它的晶格常数为:a0=3.206, c,=7.846, Co/ao的值为2. 447。由于晶体点阵结构的影响，MoSi:单晶的热膨胀系数呈现出各向异性的特征。而目前国内生产硅碳棒用的MoSi:通常采用自蔓延反应的方式制得，同时，制造硅碳棒硅碳棒的烧结温度亦高于1600 C，这都涉及到MoSi:的高温冷却问题，它很容易使MoSi:晶体产生微裂纹。由于在常温下硅碳棒为脆性材料，所以，由描述脆性材料断裂强度。与裂纹尺寸C之间关系的Griffith公式:。一()1/2可知:脆性材料的断裂强度与裂纹尺寸的平方根成反比。若硅碳棒体在受载前就已存在裂纹，将会大大降低它的断裂强度。同时，由于硅碳棒体中含有脆弱的玻璃相晶界，使得用传统工艺生产的国产硅碳棒的抗弯强度很低。
当硅碳棒在高温下进行生膜时，硅碳棒体表面产生如下反应:2MoSiZ + 70:一2MoOs + 4SiOZ，反应生成的Si0:均匀覆盖在硅碳棒的表面，形成一层致密的氧化膜，从而大大削弱了表面层中的MoSiO:晶体的微裂纹和含有脆弱的玻璃相的晶界在断裂时所起到的裂纹源的作用，提高了硅碳棒的抗弯强度。www.sdzygw.com
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