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| 硅碳棒电容的选择 |
V2两端加硅碳棒电容，硅碳棒电容为高阻抗硅碳棒电容，目的是使V1,V2产生的电流不会影响V2回路自己产生的电流。硅碳棒没有碰壁时设备正常工作，V2回路处于断路状态，电流表没示数。正常工作时，负载断路器闭合。硅碳棒不碰壁，检测器输出模型为检测36 V/10 kHz交流电源，最大2 kV/50 Hz交流电源。选择硅碳棒电容时为了保证安全，必须计算出回路产生的最大电流，2 kV电压产生最大电流为3.14 mA, 36 V电源产生最大电流为11.3 mA，为确保回路中最大电流不超过所设定的最大电流，所以最大电流取1e秒，+n2韶3.142+11.32 mA=11.73 mA如果选择5 nF的内部容性负载串联，通过上述计算方法可以算出，对10 kHz电阻3185 Sz，对50 Hz电阻637 kCZ。碰壁最大50 Hz电流11.73 mA，最小为11.3 mAo硅碳棒电容对50 Hz的电源产生的电流阻碍较大，所以选择5 nF的硅碳棒电容作为内部容性负载比较合适。硅碳棒电容耐压性设计。硅碳棒电容电压要大于产生最高时电压2 kV即可，但同时还要进行电流校核，硅碳棒电容电流的校核计算公式为1e > cuCUe (1e为回路产生的最大电流)。其中田但由于最大耐压的硅碳棒电容只有2 kV，即没有容量为5 nF、耐压8 kV的硅碳棒电容，所以只能用4个2 kV/20 nF的硅碳棒电容串联起来，以满足性能要求。外加电源的产生外加36 V电源的产生是通过升压变压器，将电压升至36 V，作为变压器的二次侧，而变压器的一次电压信号是通过正弦波信号发生器MAX038产生，发出一低电压低功率10 kHz电压，由于该芯片功率很小，自身允许通过的最大电流只有25 mA，不能直接接到变压器的一次侧上，若要承受更大的功率，必须要加功率放大装置，从而保证正弦波发生芯片不被烧毁。经过一个功率放大装置MC34119功率放大芯片，将功率放大，根据产生的电压与二次侧36 V相比，进而设计变压器的变压比，实际试验检侧中显示，一次电压最大为7.8 V ,所以变压器变压比设计为1:S。www.sdzygw.com
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