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硅碳棒工艺和分解过程

    硅碳棒工艺制备硅烷的主要方法有3种。1)Komatsu硅化镁法:采用MgZSi与NH4C1在液氨中反应生成硅烷;2>碱金属与氯硅烷或SiF、法:采用SiF4与NaA1H为原料制备硅烷;3)歧化法:采用冶金硅为原料,通过生成中间产物SiHCl3制取硅烷硅碳棒生产多晶硅采用的反应器主要有空间自由反应器、流化床反应器和CVD反应器。硅烷的分解过程SiH4Si-i-2H2。(1)将硅烷通入到CVD反应器中,经过加热分解,沉积在硅芯表面。硅烷分解既可以是气相分解,又可以在加热载体上分解,气相反应主要生成无定形硅,而在加热载体上分解才生成晶体硅。为了提高硅的实收率,要尽量减少气相分解。硅烷的热稳定性较差,180℃以上即开始分解成无定型硅,在400℃左右分解产生晶体硅,600℃以上其分解速度迅速增加。分解温度越高,形成的晶体越致密。从化学反应动力学角度看,硅烷的热分解过程实际上是分2步完成的1)180℃时,式(2)所生成的产物[SiHZ」如果不能继续进行分解便会以SiH2二形式聚合。聚合物是棕黄色粉末,如果式(2)形成的[SiH2〕在尚未发生聚合之前迅速到达高温的硅碳棒表面,则立即开始热分解的第2阶段—表面反应,此时在硅碳棒表面沉积多晶硅。www.sdzygw.com

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