针对采用CVD反应器的硅烷热分解工艺制备硅碳棒状高纯多晶硅的过程进行了研究。理论上研究了硅烷受热分解的过程，以及温度梯度对硅沉积的影响。从应用角度出发，研究了制备过程中硅碳棒状多晶硅致密性、能耗、硅烷转化率等方面的影响因素。通过降低杂质和改善硅碳棒外观，使生产的多晶硅碳棒达到了区熔级的标准，并成功区熔成晶。提出了在制备工艺中尚待优化的问题，指出采用侧面间接进气方式有利于沉积的均匀性和致密性。晶体硅材料主要应用在微电子、晶体管及集成电路、半导体器件等半导体工业中。作为一种重要的太阳电池的基体材料，晶体硅也广泛应用于新能源领域。多晶硅的制备主要采用化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)的方法，得到硅碳棒状或粒状形态的多晶硅。国内目前生产多晶硅工艺中大多采用CVD反应器，在一定温度下，发生还原或者分解反应，产生的硅沉积在灼热的载体表面。当前的载体材料通常为硅芯，早期曾使用钥等金属载体。随着人们对硅材料纯度要求的提高，尽量避免使用载体对多晶硅的污染，所以当前工业生产中基本不再使用金属作为沉积载体。当前主流的多晶硅生产技术主要有三氯氢硅(SiHCl3)法、硅烷(SiH)法等。流化床法所生产的多晶硅为颗粒状，纯度也不及三氯氢硅法和硅烷法生产的纯度，主要应用于太阳能产业，也可作为拉制大直径单晶硅时的原料连续加料，但不能直接提供区熔使用。
    三氯氢硅法生产电子级多晶硅具有一定的优势，其沉积速率较快，可达8-10 m/min，安全性相对较好。多晶硅纯度可以满足直拉和区熔的要求。但是国内三氯氢硅法生产的大部分多晶硅产品为太阳能级，即使是电子级产品，无论在质量上还是在产量上都与国外的先进技术有一定差距，而区熔级的多晶硅产品更为少见。硅烷法是利用硅烷热分解的方法制备多晶硅，反应温度低，原料气体硅烷易提纯，杂质含量可以得到严格的控制。另外，由于硅烷及热分解产物都没有腐蚀性，从而避免了对设备的腐蚀以及硅受腐蚀而被沾污的现象，因此具有广阔的发展前景。www.sdzygw.com