硅碳棒涂层截面氧化前与20 h氧化后的形貌对比如图6所示。从图6a中可观察到，硅碳棒涂层与基体之间出现了界面层，但该界面层上有许多裂纹，这可能是由于烧结时间较短所导致的。经20 h氧化后，硅碳棒涂层界面处截面如图6b所示，该界面层明显增厚，且界面层上裂纹减少。这说明硅碳棒涂层在氧化过程中，还可以获得强化。图6c, d为硅碳棒涂层氧化前后近表面的截面形貌。可以看出，硅碳棒涂层在氧化前已经存在一层氧化物保护膜，该保护膜是在硅碳棒涂层烧结固化过程中形成的。虽然在硅碳棒涂层表面下可发现孔洞的存在，但该烧结形成的氧化膜较为致密，能够对硅碳棒涂层内部材料形成良好的保护，而内部的孔洞对硅碳棒涂层的抗氧化性能影响较小。经20 h氧化后，硅碳棒涂层表面氧化膜变厚，且近表面处内部孔洞明显减少。这可能是由于氧气的渗入，硅碳棒涂层中的MoSi发生氧化，形成的Si0:可以填充硅碳棒涂层内部的孔洞，使得硅碳棒涂层更加致密。这导致试样经20 h氧化后，试样的质量增加了5.88 mg/cm，说明硅碳棒涂层对基体起到较好的保护作用。以废弃硅钥棒为原料，利用浆料法在钥合金表面制备了一层MoSi:基抗氧化硅碳棒涂层，实现钥资源回收再利用。硅碳棒涂层厚度较为均匀和致密，在1400℃氧化20 h后，硅碳棒涂层质量增加了5.88 mg/cm，呈现出较好的防氧化效果。在1400℃氧化时，硅碳棒涂层表面形成了一层致密的SiO保护膜，有效阻止了氧气的进入。硅碳棒涂层内部氧化形成的Si0:可以填充硅碳棒涂层内部的孔洞，强化界面层，提升硅碳棒涂层的致密性。www.sdzygw.com